Flying Bull (Ningbo) Electronic Technology Co., Ltd.

Sensor de pressão de ar D5010437049 5010437049 3682610-C0100 de alta qualidade

Breve descrição:


  • OE:D5010437049 5010437049 3682610-C0100
  • Local de Origem::Zhejiang, China
  • Marca::TOURO FILANDO
  • Tipo: :Sensor
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produto

    Detalhes

    Tipo de marketing:Produto quente 2019

    Local de Origem:Zhejiang, China

    Marca:TOURO VOADOR

    Garantia:1 ano

     

     

     

    Tipo:sensor de pressão

    Qualidade:Alta qualidade

    Serviço pós-venda fornecido:Suporte on-line

    Embalagem:Embalagem Neutra

    Prazo de entrega:5-15 dias

    Introdução do produto

    Os sensores de pressão semicondutores podem ser divididos em duas categorias, uma é baseada no princípio de que as características I-υ da junção PN semicondutora (ou junção schottky) mudam sob tensão. O desempenho deste elemento sensível à pressão é muito instável e não foi muito desenvolvido. O outro é o sensor baseado no efeito piezoresistivo semicondutor, que é a principal variedade de sensores de pressão semicondutores. No início, os extensômetros semicondutores eram principalmente fixados a elementos elásticos para fabricar vários instrumentos de medição de tensão e deformação. Na década de 1960, com o desenvolvimento da tecnologia de circuitos integrados semicondutores, surgiu um sensor de pressão semicondutor com resistor de difusão como elemento piezoresistivo. Este tipo de sensor de pressão possui estrutura simples e confiável, sem partes móveis relativas, e o elemento sensível à pressão e o elemento elástico do sensor são integrados, o que evita atraso mecânico e deformação e melhora o desempenho do sensor.

     

    Efeito piezoresistivo do semicondutor O semicondutor possui uma característica relacionada à força externa, ou seja, a resistividade (representada pelo símbolo ρ) muda com a tensão que suporta, o que é chamado de efeito piezoresistivo. A mudança relativa de resistividade sob a ação da tensão unitária é chamada de coeficiente piezoresistivo, que é expresso pelo símbolo π. Expresso matematicamente como ρ/ρ = π σ.

     

    Onde σ representa tensão. A mudança no valor da resistência (R/R) causada pela resistência do semicondutor sob tensão é determinada principalmente pela mudança na resistividade, portanto a expressão do efeito piezoresistivo também pode ser escrita como R/R=πσ.

     

    Sob a ação de força externa, certas tensões (σ) e deformações (ε) são geradas em cristais semicondutores, e a relação entre elas é determinada pelo módulo de Young (Y) do material, ou seja, Y=σ/ε.

     

    Se o efeito piezoresistivo for expresso pela deformação no semicondutor, é R/R=Gε.

     

    G é chamado de fator de sensibilidade do sensor de pressão, que representa a mudança relativa do valor da resistência sob deformação unitária.

     

    O coeficiente piezoresistivo ou fator de sensibilidade é o parâmetro físico básico do efeito piezoresistivo do semicondutor. A relação entre eles, assim como a relação entre tensão e deformação, é determinada pelo módulo de Young do material, ou seja, g = π y.

     

    Devido à anisotropia dos cristais semicondutores na elasticidade, o módulo de Young e o coeficiente piezoresistivo mudam com a orientação do cristal. A magnitude do efeito piezoresistivo do semicondutor também está intimamente relacionada à resistividade do semicondutor. Quanto menor a resistividade, menor o fator de sensibilidade. O efeito piezoresistivo da resistência à difusão é determinado pela orientação do cristal e pela concentração de impurezas da resistência à difusão. A concentração de impurezas refere-se principalmente à concentração de impurezas superficiais da camada de difusão.

     

    Imagem do produto

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    Detalhes da empresa

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    Vantagem da empresa

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    Transporte

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    Perguntas frequentes

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